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MEMS OSCILLATORS FOR VERSATILE USE MEMS RUGGEDIZED OSCILLATORS MEMS OCXOS & TCXOS MEMS SPREAD SPECTRUM XOS MEMS DIFFERENTIAL OSCILLATORS

MEMS OSCILLATORS AEC-Q100 QUALIFIED

Automobilanwendungen stellen eine der schwierigsten Umgebungen für die Elektronik dar. Die Oszillatoren von SiTime sind für die Automobilindustrie konzipiert und sind so konstruiert, dass sie rauen Umgebungsbedingungen wie extremen Temperaturen, Luftströmungen, Stößen, Vibrationen und EMI standhalten.

Die AEC-Q100-Automotive-Oszillatoren bieten höchste Performance, Zuverlässigkeit und Robustheit und sind damit ideal für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS), fahrzeuginterne Netzwerke und sicherheitskritische Fahrzeug-Automatisierungsanwendungen geeignet.

Die Automotive-Produkte von SiTime sind AEC-Q100-qualifiziert und IATF16949-zertifiziert.

Beschreibung

Diese MEMS Oszillatoren sind nach AEC-Q100 qualifiziert und können nach Kundenwusch konfiguriert werden.

Aufgrund ihren Konfigurierbarkeit sorgen sie für eine hohe Flexibilität während der Schaltungsentwicklung.

Konfigurierbar sind diese nach AEC-Q100-qualifizierten MEMS Oszillatoren mit Ausgangsfrequenzen von 1.0 MHz bis 137.0 MHz.

Sie sind mit einer hohen Frequenzstabilität bis ±20 ppm und einem weiten Temperaturbereich bis zu -55 °C ~ +125 °C erhältlich. Eine Konfigurationsoption "FlexEdge™" für höhere kapazitive Lasten oder für weniger steile Flanken zur Reduktion der elektromagnetischen Abstrahlung ist verfügbar.

Dem Entwickler bieten diese Oszillatoren aufgrund der schnellen Verfügbarkeit eine sehr hohe Flexibilität, denn Änderungen der Taktfrequenz in der Schaltung sind kurzfristig möglich.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 137 MHz
  • AEC-Q100-qualifiziert
  • Beste Temperaturstabilität ±20 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -55 °C ~ +125 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.8 Volt ~ 3.3 Volt
  • Kompatibel zu allen Standard-Oszillatorgehäusen und Pad-Layouts
  • 10.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit (2.2 * 109 h MTBF)
  • FlexEdge™ konfigurierbare Anstiegs-/Abfallzeit

Drop-in-Ersatz für die folgenden Gehäuseabmessungen

  • 2016 (2.0 x 1.6 x 0.75 mm)
  • 2520 (2.5 x 2.0 x 0.75 mm)
  • 3225 (3.2 x 2.5 x 0.75 mm)
  • 5032 (5.0 x 3.2 x 0.75 mm)
  • 7050 (7.5 x 5.0 x 0.90 mm)

Zusätzlicher Gehäusetyp

  • SOT23 (2.9 x 2.8 x 1.27 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT8924
1.0 MHz – 110.0 MHz
2016 – 7050
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT8924
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 110.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 7050
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT8925
115.0 MHz – 137.0 MHz
2016 – 7050
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT8925
Fre­quenz­bereich
115.0 MHz – 137.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 7050
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SIT1625
44 Std. Freq.
(1612) 2016 – 3225
1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-40 °C – +125 °C
±25 ppm – ±50 ppm
Typ
SIT1625
Fre­quenz­bereich
44 Std. Freq.
Ab­mes­sungen
(1612) 2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±25 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT2024
1.0 MHz – 110.0 MHz
SOT23
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT2024
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 110.0 MHz
Ab­mes­sungen
SOT23
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT2025
115.0 MHz - 137.0 MHz
SOT23
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT2025
Fre­quenz­bereich
115.0 MHz - 137.0 MHz
Ab­mes­sungen
SOT23
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

Diese Differenzialoszillatoren für Automobilanwendungen sind gemäß AEC-Q100 qualifiziert und bieten einen extrem niedrigen Jitter von 0.23 ps bzw 0.150 ps (typ.) bei einer Frequenzstabilität von ±25 ppm. Stressbelastungen im Automobilbereich wie Schock, Vibrationen, schnelle Wärmetransienten und Stromversorgungsrauschen stellen kein Problem dar. Die Differenzialoszillatoren können auf jede Frequenz im Bereich von 1 bis 920 MHz in 1-Hz-Schritten konfiguriert werden. Sie unterstützen alle gängigen Ausgangssignaltypen einschließlich LVPECL, LVDS, HCSL. Low-power HCSL in Kombination mit einer beliebigen Spannung zwischen 1.71 V und 3.63 V.

Zusätzlich zu den Standard-Differenzsignaltypen verfügt dieser Baustein über einen einzigartigen FlexSwing™-Ausgangstreiber, der wie LVPECL funktioniert, aber eine unabhängige Steuerung von Spannungshub und DC-Offset ermöglicht. On-Chip-Regler sind integriert, um das Rauschen auf der Stromversorgung zu filtern.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 920 MHz
  • AEC-Q100 qualifiziert
  • Beste Temperaturstabilität ±20 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +125 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.8 Volt ~ 3.3 Volt
  • Kompatibel zu allen Standard-Oszillatorgehäusen und Pad-Layouts
  • 10.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • LVPECL, LVDS, HCSL, Low Power HCSL, FlexSwing
  • Geringer Jitter: 0.23 ps (typ.) / 0.15 ps (typ.)
  • Äußerst hohe Zuverlässigkeit

Drop-in-Ersatz für die folgenden Gehäuseabmessungen

  • 2016 (2.0 x 1.6 x 0.75 mm)
  • 2520 (2.5 x 2.0 x 0.85 mm)
  • 3225 (3.2 x 2.5 x 0.85 mm)
  • 7050 (7.5 x 5.0 x 0.80 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT9386
1.0 MHz – 220.0 MHz
3225 / 7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9386
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
3225 / 7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9387
220.0 MHz – 725.0 MHz
3225 / 7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9387
Fre­quenz­bereich
220.0 MHz – 725.0 MHz
Ab­mes­sungen
3225 / 7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9396
1.0 MHz – 220.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-40 °C – +125 °C
±25 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9396
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±25 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9397
220.0 MHz – 920.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-40 °C – +125 °C
±25 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9397
Fre­quenz­bereich
220.0 MHz – 920.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±25 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

Die AEC-Q100-TCXOs für den Automobilbereich von SiTime basieren auf der Elite Platform™ und bieten höchste Flexibiltät, Effizienz und Zuverlässigkeit. Damit eignen sie sich ideal für den Einsatz in Autmomobilapplikationen wie autonome Fahrsysteme. Diese Präzisionsbausteine mit einem Frequenzbereich von 1 bis 220 MHz und einer hohen Frequenzstabilität (±0.1 ppm bis ±2.5 ppm) im AEC-Q100-Grade-2-Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C können komplexe Timing-Probleme in rauen Automobilumgebungen lösen.

Die einzigartige DualMEMS™- und TurboCompensation™-Temperatursensortechnologie von SiTime sorgt für eine hervorragende dynamische Performance bei den üblichen Umgebungsbedingungen wie Luftströmungen, Temperaturschwankungen, Vibrationen, Erschütterungen, Rauschen auf der Versorgungsspannung und elektromagnetischen Störungen (EMI). Die Produkte können werkseitig auf eine beliebige Kombination von Frequenz, Stabilität, Spannung und Anzugsbereich konfiguriert werden. Dies ermöglicht es Entwicklern, die MEMS-TCXO-Konfiguration für die beste Systemleistung anzupassen und gleichzeitig lange Vorlaufzeiten und Anpassungskosten zu eliminieren.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 220 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±0,1 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +105 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 2.5 Volt ~ 3.3 Volt
  • Phasen-Jitter (rms) 0.31 (ps)
  • Frequenz-Ziehbereich ±6.25 ppm ~ ±3200 ppm
  • LVCMOS oder geclippte Sinuswelle
  • 10.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit mit über 1 x 109 Stunden MTBF (< 1 FIT)
  • AEC-Q100 qualifiziert

Gehäuseabmessung

  • 5032 (5.0 x 3.2 x 0.95 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT5186
1.0 MHz – 60.0MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Typ
SiT5186
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Daten­blatt
SiT5187
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Typ
SiT5187
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Daten­blatt
SiT5386
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5386
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
SiT5387
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5387
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
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